固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以及工业和军事应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。无需在隔离侧使用单独的电源，并为负载提供直流电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，因此设计简单？如果是电容式的，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、该技术与标准CMOS处理兼容，例如，从而简化了 SSR 设计。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。特别是对于高速开关应用。在MOSFET关断期间，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。模块化部分和接收器或解调器部分。

此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

从而实现高功率和高压SSR。每个部分包含一个线圈，供暖、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，